ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGLD60R070D1AUMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IGLD60R070D1AUMA1
Последняя цена
840 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 20, корпус: PGLSON8, АБ
Корпус PGLSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 15 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1614671
Технические параметры
Вес, г
0.5
Техническая документация
Datasheet IGLD60R070D1AUMA1 , pdf
, 479 КБ
