IRF7319TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 49 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614665

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.188

Максимальный непрерывный ток стока

4.9 A, 6.5 A

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

46 mΩ, 98 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

26 ns, 34 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

8.1 ns, 13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V, 23 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

650 pF@ 25 V, 710 pF@ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF7319PBF Datasheet , pdf , 225 КБ

IRF7319TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 49 руб.

Техническая документация