BSP92PH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 260 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 12 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614660

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.189

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-223

Ширина

3.5 mm

Высота

1.6 mm

Transistor Material

Length

6.5mm

Brand

Infineon

Series

SIPMOS

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

3 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

4.3 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

BSP92PH6327 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

260mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 260mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 130ВµA

Id - непрерывный ток утечки

260 mA

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

5.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6 ns

Время спада

33 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

BSP92P H6327 SP001058796

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

290 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP92

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

67 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

260 mA

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.5mm

Height

1.6mm

Maximum Drain Source Resistance

20 Ω

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 446 КБ
Datasheet , pdf , 445 КБ

BSP92PH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация