IRFZ44ZPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 48 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.9 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614657

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.698

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

51 А

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

8.77мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

14 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

IRFZ44 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

51A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

80W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 31A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

33 ns

Тип корпуса

TO-220AB

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

29 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1420 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Maximum Power Dissipation

80 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

8.77mm

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

irfz44zpbf , pdf , 383 КБ
IRFZ44 , pdf , 167 КБ

IRFZ44ZPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 48 руб.

Техническая документация