BCR533E6327HTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 70

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1614602

Технические параметры

Вес, г

0.033

Base Product Number

BCR533 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

330mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Height

0.9мм

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Minimum DC Current Gain

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9mm

Длина

2.9mm

Ширина

1.3mm

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

330 mW

Maximum Continuous Collector Current

500 mA

Typical Input Resistor

10 kΩ

Typical Resistor Ratio

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

PRICED TO CLEAR

Yes

Техническая документация

Datasheet , pdf , 683 КБ

BCR533E6327HTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация