BSP225.115 - характеристики, поставщики

BSP225.115

Последняя цена 34 руб.

BSP225.115

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1614519

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.17

Base Product Number

BSP225 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

1 P-Channel

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

934000510115

Технология

Si

Количество элементов на ИС

1

Максимальное рассеяние мощности

1,5 Вт

Число контактов

4

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Производитель

Nexperia

Канальный режим

Enhancement

Материал транзистора

Кремний

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип канала

A, P

Id - непрерывный ток утечки

225 mA

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Максимальный непрерывный ток стока

225 мА

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Максимальное сопротивление сток-исток

15 Ω

Категория

Мощный МОП-транзистор

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

65 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.8 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

225mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

FET Type

P-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Техническая документация

Datasheet BSP225,115 , pdf , 180 КБ
Datasheet BSP225,115 , pdf , 66 КБ
Datasheet BSP225.115 , pdf , 181 КБ