ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC807-16.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC807-16.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC807-16.215
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1614506
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.035
Base Product Number
BC807 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
80MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.7 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
500 mA
Height
1mm
Pin Count
3
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
40
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
250mW
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4 mm
Другие названия товара №
933628560215
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
80 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 284 КБ
BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf
, 234 КБ
BC807 808 , pdf
, 75 КБ
Datasheet , pdf
, 351 КБ