ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD239C - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
BD239C
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD239C
Последняя цена
18 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 115 В; UКЭ(пад): 700 мВ; IК(макс): 2 А; h21: от 40
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Напряжение КЭ максимальное 115 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 40
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1614409
Технические параметры
Вес, г
2.5
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,7 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
2 Вт
Maximum DC Collector Current
2 А
Pin Count
3
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
115 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В