ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP11NK40Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP11NK40Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP11NK40Z
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613604
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.59
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
400 V
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
40 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
32 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
930 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
9
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
400
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
110000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
930@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
32@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
32
Typical Fall Time (ns)
18
Typical Rise Time (ns)
20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Typical Turn-On Delay Time (ns)
20
Automotive
No
Military
No
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 773 КБ
...11NK40Z , pdf
, 501 КБ
