ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP36NF06L - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP36NF06L
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP36NF06L
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 30 А; Rси(вкл): 40 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 12 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613598
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.58
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
13 нКл при 5 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
19 ns
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-18 В, +18 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Power Dissipation
70 Вт
Width
4.6мм
Height
9.15мм
Maximum Drain Source Resistance
40 мΩ
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Техническая документация
Datasheet STP36NF06L , pdf
, 436 КБ
