ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP14NK60ZFP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP14NK60ZFP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP14NK60ZFP
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 13.5 А; Rси(вкл): 0.45 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 500 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613514
Технические параметры
Вес, г
2.456
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
13.5A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
40W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
500mО© @ 6A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 100uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 976 КБ
