IRF1010EPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 84 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613503

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.628

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

84 A

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.54мм

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

12 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

130 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRF1010 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

84A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 50A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

48 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

130 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

3210 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

84 А

Maximum Drain Source Resistance

12 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

IRF1010EPBF Datasheet , pdf , 242 КБ
Datasheet IRF1010EPBF , pdf , 251 КБ

IRF1010EPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация