ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCV46.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BCV46.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCV46.215
Последняя цена
7 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Транзисторы Дарлингтона, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1613455
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.025
Base Product Number
BCV46 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
220MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100ВµA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Pd - Power Dissipation
250mW
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Максимальный ток отсечки коллектора
0.1 uA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
BCV46 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
2000
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1 V
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.5 V
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Максимальный непрерывный ток коллектора
-500 mA
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 77 КБ
Datasheet BCV46,215 , pdf
, 314 КБ