IRF540ZPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 36 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613432

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.688

Максимальный непрерывный ток стока

36 A

Максимальное рассеяние мощности

92 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

27 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1770 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

36A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

92W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

IRF540ZPBF Datasheet , pdf , 379 КБ
Datasheet , pdf , 303 КБ

IRF540ZPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация