ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC847.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847.215
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 800
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1613367
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.028
Base Product Number
BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
250mW
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
933589570215
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,4 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Техническая документация
BC847B.215 , pdf
, 271 КБ
Datasheet , pdf
, 873 КБ
Datasheet , pdf
, 265 КБ
BC847_SER , pdf
, 212 КБ