BSP62.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация PNP Darl., Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 2000, Коэффициент усиления по току, max 2000

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1613311

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.262

Base Product Number

BSP62 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.25W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 500ВµA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

6.7mm

Maximum Collector Base Voltage

-90 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

3.7мм

Height

1.7мм

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.7mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

1000

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7 mm

Длина

6.7 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

1000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

90 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7 mm

Другие названия товара №

933969480115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

1000

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-1.9 V

Maximum Collector Cut-off Current

-50nA

Maximum Continuous Collector Current

-1 A

Диапазон рабочих температур

65 C to + 150 C

Техническая документация

Datasheet , pdf , 194 КБ
Datasheet , pdf , 121 КБ
Datasheet , pdf , 192 КБ

BSP62.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация