ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTC114YT.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PDTC114YT.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTC114YT.215
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Цифровой биполярный транзистор, NPN, 0.25 Вт
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 100
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1613249
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.04
Base Product Number
PDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
250mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Высота
1мм
Длина
3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Типичный входной резистор
10 кΩ
Типичный коэффициент резистора
0,21, 1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 748 КБ
Datasheet , pdf
, 1531 КБ
