IRF7807TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 77 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613192

Технические параметры

Вес, г

0.12

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Высота

1.5мм

Transistor Material

Кремний

Length

5мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 5 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

8.3A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

25mО© @ 7A,4.5V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

8,3 А

Maximum Power Dissipation

2,5 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4мм

Maximum Drain Source Resistance

25 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Техническая документация

Datasheet IRF7807TRPBF , pdf , 204 КБ
Datasheet IRF7807TRPBF , pdf , 258 КБ

IRF7807TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 77 руб.

Техническая документация