IRL100HS121, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN6, АБ

Полевой МОП-транзистор OptiMOS 5 поколения с каналом N-типа, 100 В, 11 А, в корпусе PQFN (2x2 мм)

Характеристики:

Полярность: N;

Напряжение сток-исток: 100 В;

Ток: 11 А;

Сопротивление сток-исток: 34 мОм;

Напряжение затвор-исток: ±20 В;

Рассеиваемая мощность: 11.5 Вт;

Заряд затвора: 3.7 нКл;

Время спада: 10.7 нс;

Время нарастания: 21 нс;

Рабочая температура: -55...+175 °С;

Корпус: PQFN (2x2 мм)

Корпус PQFN6

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613180

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

5.1 A

Pd - рассеивание мощности

11.5 W

Qg - заряд затвора

3.7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

34 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

21 ns

Время спада

10.7 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

15 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

8.7 ns

Типичное время задержки при включении

7.6 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PQFN-6

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IRL100HS121 , pdf , 1070 КБ
Datasheet IRL100HS121 , pdf , 1056 КБ

IRL100HS121 - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация