ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFU5305PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFU5305PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFU5305PBF
Последняя цена
51 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 75, корпус: IPAK, АБ
Корпус IPAK, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1613121
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.709
Максимальный непрерывный ток стока
31 A
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.3мм
Высота
6.1мм
Количество элементов на ИС
1
Series
HEXFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Base Product Number
IRFU5305 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
IPAK (TO-251)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Длина
6.6мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
39 нс
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Размеры
6.6 x 2.3 x 6.1мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1200 pF@ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
IRFU5305 Datasheet , pdf
, 170 КБ
Datasheet IRFU5305PBF , pdf
, 251 КБ
