IRF3808PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 140 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613066

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.57

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

140 А

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

330 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

75 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRF3808 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

140A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5310pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

330W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

68 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

16 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

150 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

5310 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

140A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

330W

Rds On - Drain-Source Resistance

7mО© @ 82A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

75V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Power Dissipation

330 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

7 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

75 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

IRF3808PBF Datasheet , pdf , 217 КБ
Datasheet IRF3808PBF , pdf , 256 КБ
Datasheet , pdf , 247 КБ

IRF3808PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация