STP6NK90ZFP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 900V Current, Id Cont 5.8A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 3.75V Case Style TO-220FP Termination Type Through Hole Avalanche Single Pulse Energy Eas 300mJ Current Iar 5.8A Current, Idm Pulse 23.2A Power Dissipation 30W Power, Pd 30W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 2ohm Typ Capacitance Ciss 1350pF Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 900V Voltage, Vds Max 900V Voltage, Vgs Max 30V Voltage, Vgs th Max 4.5V Voltage, Vgs th Min 3V
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613046

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.424

Максимальный непрерывный ток стока

5.8 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

20 ns

Тип корпуса

TO-220FP

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

46,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1350 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

5.8

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

2000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

900

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

30000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Packaging

Tube

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220FP

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1350@25V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

46.5@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

46.5

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

16.4(Max)

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

Tab

Process Technology

SuperMESH

Техническая документация

STP6NK90ZFP datasheet , pdf , 685 КБ
Datasheet , pdf , 477 КБ

STP6NK90ZFP - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация