IRF6218PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 27 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613038

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.636

Ширина

4.69mm

Высота

15.24mm

Количество элементов на ИС

Length

10.54mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

IRF6218PbF

Typical Gate Charge @ Vgs

71 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Тип корпуса

TO-220AB

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3 + Tab

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

27A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

250W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

150mО© @ 16A,10V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

27 A

Maximum Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Drain Source Resistance

150 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.6V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 137 КБ

IRF6218PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация