IRF5210PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613026

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.854

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.69мм

Высота

8.77мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRF5210 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 24A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.54мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

79 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.54 x 4.69 x 8.77мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

180 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2700 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

-4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55…+175

Техническая документация

IRF5210 datasheet , pdf , 126 КБ
IRF5210PBF Datasheet , pdf , 190 КБ
Datasheet IRF5210PBF , pdf , 197 КБ
Datasheet IRF5210PBF , pdf , 131 КБ

IRF5210PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация