IRFP064NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1613012

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

7.24

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

110 А

Package Type

TO-247AC

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

20.3мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

15.9мм

Brand

Infineon

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

170 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRFP064 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 59A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

15.9мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

TO-247AC

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

170 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4000 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

110A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

200W

Rds On - Drain-Source Resistance

8mО© @ 59A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

110 А

Maximum Power Dissipation

200 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.3мм

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55…+175

Техническая документация

IRFP064 datasheet , pdf , 172 КБ
IRFP064N Datasheet , pdf , 113 КБ
Datasheet , pdf , 599 КБ

IRFP064NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация