IRFR9120NTRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 29 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current, Id: 6.5A; On Resistance, Rds(on): 480mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 20V; Package/Case: D-Pak; Power Dissipation, Pd: 40W
Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 480 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612964

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.539

Максимальный непрерывный ток стока

6,6 A

Максимальное рассеяние мощности

40 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

480 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

28 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

27 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

350 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 258 КБ

IRFR9120NTRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 29 руб.

Техническая документация