ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7507TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7507TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7507TRPBF
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: MSOP8, АБ
Корпус uSOP-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 85 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612933
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.147
Максимальный непрерывный ток стока
1.7 A, 2.4 A
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3мм
Высота
0.86мм
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
140 мОм, 270 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N, P
Длина
3мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
15 ns, 38 ns
Тип корпуса
MSOP
Размеры
3 x 3 x 0.86мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5.7 ns, 9.1 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
5.3 nC @ 4.5 V, 5.4 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
240 пФ при 15 В, 260 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2.4A,1.7A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1.25W
Rds On - Drain-Source Resistance
140mО© @ 1.7A,4.5V
Transistor Polarity
N & P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20V
Vgs - Gate-Source Voltage
700mV @ 250uA
Крутизна характеристики S,А/В
2.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
0.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
135/270
Температура, С
-55…+150
Техническая документация
IRF7507 datasheet , pdf
, 242 КБ
Datasheet IRF7507TRPBF , pdf
, 214 КБ
