ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLR3410TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLR3410TRPBF
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 100V; Continuous Drain Current, Id: 17A; On Resistance, Rds(on): 105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: DPAK
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612930
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.55
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное рассеяние мощности
79 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
155 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.73мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
30 нс
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7.2 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
34 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
800 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
17A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
79W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
105mО© @ 10A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 250uA
Техническая документация
irlr3410pbf , pdf
, 286 КБ
