ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7855TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7855TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7855TRPBF
Последняя цена
78 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ
MOSFET, N-CH, 12A, 60V, SOIC
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.4 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612918
Технические параметры
Вес, г
0.187
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOIC
Transistor Material
Si
Length
5mm
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4mm
Height
1.5mm
Maximum Drain Source Resistance
9.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
IRF7855pbf DATASHEET , pdf
, 614 КБ
