IRF7309TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612876

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.178

Максимальный непрерывный ток стока

3 A, 4 A

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мОм, 160 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

22 ns, 25 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

6.8 ns, 11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

25 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

440 pF@ -15 V, 520 pF@ 15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Крутизна характеристики S,А/В

5.2

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

50/100

Температура, С

-55…+150

Техническая документация

Datasheet IRF7309 , pdf , 2060 КБ

IRF7309TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация