STP10NK80Z, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.9 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 72 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612859

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.661

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

65 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

30 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

72 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2180 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

190W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 440 КБ
Datasheet , pdf , 440 КБ

STP10NK80Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация