ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SGW30N60HSFKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SGW30N60HSFKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SGW30N60HSFKSA1
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 240, корпус: TO247, АБ
IGBT, TO-247; Transistor Type: IGBT; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vces: 600V; Current, Ic Continuous a Max: 30A; Voltage, Vce Sat Max: 3.15V; Power Dissipation: 250W; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Current, Ic @ Vce Sat: 30A; Voltage, Vceo: 600V
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 41 А, Напряжение насыщения К-Э 3.15 В, Максимальная мощность 250 Вт, Заряд затвора 141 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1612856
Технические параметры
Вес, г
7.953