IRLL024NTRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOT223, АБ

Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612825

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.308

Максимальный непрерывный ток стока

4.4 A

Максимальное рассеяние мощности

2.1 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.7мм

Высота

1.739мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.7мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

18 нс

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.739мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7,4 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10,4 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

510 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.1A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRLL024NTRPBF , pdf , 476 КБ
Datasheet , pdf , 146 КБ

IRLL024NTRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация