ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFL024NTRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFL024NTRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFL024NTRPBF
Последняя цена
27 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOT223, АБ
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612733
Технические параметры
Вес, г
0.303
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2.8A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1W
Rds On - Drain-Source Resistance
75mО© @ 2.8A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
IRFL024N datasheet , pdf
, 121 КБ
Datasheet , pdf
, 141 КБ