IPP80R900P7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 34 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-МОП-транзистор

Технологии: CoolMOS P7;

Поляризация: униполярный;

Корпус: PG-TO220-3;

Входное напряжение: ± 20 В;

Монтаж: THT;

Заряд батареи: 30 нс

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 770 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612709

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.808

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPP80R900 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 110ВµA

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Qg - заряд затвора

15 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

770 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Другие названия товара №

IPP80R900P7 SP001633486

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPP80R900P7XKSA1 , pdf , 957 КБ
Datasheet IPP80R900P7XKSA1 , pdf , 1134 КБ
Datasheet IPP80R900P7XKSA1 , pdf , 974 КБ

IPP80R900P7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 34 руб.

Техническая документация