IPP80R600P7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-МОП-транзистор

Технологии: CoolMOS P7;

Поляризация: униполярный;

Корпус: PG-TO220-3;

Входное напряжение: ± 20 В;

Монтаж: THT;

Заряд батареи: 30 нс

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 510 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612708

Технические параметры

Вес, г

2.754

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Base Product Number

IPP80R600 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 170ВµA

Техническая документация

Datasheet IPP80R600P7XKSA1 , pdf , 952 КБ
Datasheet IPP80R600P7XKSA1 , pdf , 952 КБ

IPP80R600P7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация