IPP80R1K2P7XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 34 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Транзистор N-МОП

Технология: CoolMOS P7;

Поляризация: униполярный;

Давление стока: 800 В;

Ток стока: 3.1A;

Мощность: 37 Вт;

Корпус: PG TO220-3;

Входное напряжение: ± 20 В;

Сопротивление: 1200 мОм;

Монтаж: THT;

Заряд затвора: 11 нс

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612706

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.786

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPP80R1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.5A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

37W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 80ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4.5 A

Pd - рассеивание мощности

37 W

Qg - заряд затвора

11 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Другие названия товара №

IPP80R1K2P7 SP001644606

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-TO-220-3

Упаковка

Tube

Техническая документация

Datasheet IPP80R1K2P7XKSA1 , pdf , 969 КБ
Datasheet IPP80R1K2P7XKSA1 , pdf , 1152 КБ
Datasheet IPP80R1K2P7XKSA1 , pdf , 967 КБ

IPP80R1K2P7XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 34 руб.

Техническая документация