IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 150V Current, Id Cont 60A Resistance, Rds On 0.032ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 240A Power Dissipation 320W Power, Pd 320W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 32ohm Thermal Resistance, Junction to Case A 0.47°C/W Voltage, Vds Max 150V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 51 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612704

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.69

Максимальный непрерывный ток стока

51 А

Максимальное рассеяние мощности

230 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

32 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

150

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

230

Корпус

TO220AB

Длина

10.66мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

28 ns

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.66 x 4.82 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

16 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

60 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

2770 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

51A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55...+175

Техническая документация

IRFS52N15DPBF Datasheet , pdf , 326 КБ
IRFb52n15d , pdf , 137 КБ

IRFB52N15DPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация