IPD80R2K0P7ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 45 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.7 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612701

Технические параметры

Вес, г

0.548

Id - непрерывный ток утечки:

3 A

Pd - рассеивание мощности:

24 W

Qg - заряд затвора:

9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

1.7 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

2.5 V

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

8 ns

Время спада:

20 ns

Другие названия товара №:

IPD80R2K0P7 SP001634906

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Коммерческое обозначение:

CoolMOS

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

N-Channel

Производитель:

Infineon

Размер фабричной упаковки:

2500

Серия:

CoolMOS P7

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения:

40 ns

Типичное время задержки при включении:

10 ns

Торговая марка:

Infineon Technologies

Упаковка / блок:

DPAK-3

Упаковка:

Cut Tape, Reel

Техническая документация

Datasheet IPD80R2K0P7ATMA1 , pdf , 1017 КБ

IPD80R2K0P7ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 45 руб.

Техническая документация