ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA80R360P7XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA80R360P7XKSA1
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 310 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612637
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
3
Series
CoolMOSв„ў P7 ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IPA80R360 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 500V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280ВµA
Id - непрерывный ток утечки
13 A
Pd - рассеивание мощности
30 W
Qg - заряд затвора
30 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
310 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
6 ns
Время спада
6 ns
Другие названия товара №
IPA80R360P7 SP001633514
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
PG-TO-220FP-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPA80R360P7XKSA1 , pdf
, 1168 КБ
Datasheet IPA80R360P7XKSA1 , pdf
, 1202 КБ
