IPB033N10N5LFATMA1 - характеристики, поставщики

IPB033N10N5LFATMA1

Последняя цена 220 руб.

IPB033N10N5LFATMA1

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

МОП-транзистор DIFFERENTIATED МОП-транзисторS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612577

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.1

Series

OptiMOSв„ў-5 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IPB033 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

179W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO263-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 150ВµA

Id - непрерывный ток утечки

120 A

Pd - рассеивание мощности

179 W

Qg - заряд затвора

102 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.7 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

32 ns

Время спада

48 ns

Другие названия товара №

IPB033N10N5LF SP001503858

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

23 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

64 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

D2PAK-3

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IPB033N10N5LFATMA1 , pdf , 955 КБ
Datasheet , pdf , 1004 КБ