IPAW60R360P7SXKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 45, корпус: TO220FP, АБ

N-Channel 650V 9A (Tc) 22W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220, полный пакет

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612576

Технические параметры

Вес, г

2.679

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Base Product Number

IPAW60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

22W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 140ВµA

Техническая документация

Datasheet IPAW60R360P7SXKSA1 , pdf , 1095 КБ
Datasheet IPAW60R360P7SXKSA1 , pdf , 1180 КБ

IPAW60R360P7SXKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация