BSC670N25NSFDATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8, АБ

Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
Корпус PGTDSON8

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612567

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.242

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

24 A

Pd - рассеивание мощности

150 W

Qg - заряд затвора

30 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

59 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.6 ns

Время спада

4 ns

Другие названия товара №

BSC670N25NSFD SP001107234

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

24 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS Fast Diode

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet , pdf , 168 КБ
Datasheet BSC670N25NSFDATMA1 , pdf , 1031 КБ

BSC670N25NSFDATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация