IPD70R900P7SAUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 700 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612429

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.636

Ширина

6.22 mm

Высота

2.3 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

30.5 W

Qg - заряд затвора

6.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

740 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4.7 ns

Время спада

31 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IPD70R900P7S SP001491638

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

58 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Техническая документация

Datasheet IPD70R900P7S , pdf , 1027 КБ
Datasheet IPD70R900P7SAUMA1 , pdf , 1203 КБ

IPD70R900P7SAUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация