BC849CW.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1612302

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.043

Base Product Number

BC849 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

nexperia

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Конфигурация транзистора

одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

BC849CW T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

420 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 123 КБ
Datasheet , pdf , 326 КБ

BC849CW.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация