SPW35N60C3FKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 730 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612292

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

7.991

Максимальный непрерывный ток стока

34 А

Максимальное рассеяние мощности

313 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.21мм

Высота

21.1мм

Количество элементов на ИС

Series

CoolMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

SPW35N60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

34.6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

313W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 21.9A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 1.9mA

Id - непрерывный ток утечки

34.6 A

Pd - рассеивание мощности

313 W

Qg - заряд затвора

200 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

81 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

5 ns

Время спада

10 ns

Длина

16.13мм

Другие названия товара №

SP000014970 SPW35N60C3 SPW35N6C3XK

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

36 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS C3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

70 нс

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-247

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4500 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

SPW35N60C3 , pdf , 755 КБ
Datasheet SPW35N60C3FKSA1 , pdf , 761 КБ
Datasheet , pdf , 759 КБ

SPW35N60C3FKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 730 руб.

Техническая документация