SPP11N60C3XKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

N-Ch 600V 11A 125W 0.38R TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612291

Технические параметры

Вес, г

2.88

Series

CoolMOSв„ў ->

Base Product Number

SPP11N60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

11A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3-1

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 500ВµA

Техническая документация

SPP11N60C3 datasheet , pdf , 377 КБ
Datasheet , pdf , 655 КБ

SPP11N60C3XKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация