SPB17N80C3ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 290 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612289

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263(D2PAK)

Рассеиваемая Мощность

227Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

800В

Непрерывный Ток Стока

17А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.25Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

1.912

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Максимальный непрерывный ток стока

17 А

Максимальное рассеяние мощности

227 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

17 A

Pd - рассеивание мощности

227 W

Qg - заряд затвора

117 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

12 ns

Длина

10.31мм

Другие названия товара №

SP000013370 SPB17N80C3 SPB17N8C3XT

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

CoolMOS C3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

72 нс

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-3

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2300 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 427 КБ
Datasheet , pdf , 427 КБ

SPB17N80C3ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация