ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SPA07N60C3XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SPA07N60C3XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SPA07N60C3XKSA1
Последняя цена
70 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220F, АБ
N-CH 600V 7A 600mOhm TO220FP
Корпус TO220F, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 600 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1612288
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.909
Максимальный непрерывный ток стока
7,3 A
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85мм
Высота
9.83мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.65мм
Серия
CoolMOS C3
Типичное время задержки выключения
60 нс
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.65 x 4.85 x 9.83мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
790 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
7.3A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
32W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
600mО© @ 4.6A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650V
Vgs - Gate-Source Voltage
3.9V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet SPP07N60C3, SPI07N60C3, SPA07N60C3 , pdf
, 703 КБ
Datasheet , pdf
, 621 КБ