IPU80R1K4P7AKMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 29 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: TO251, АБ

Полевой транзистора N-МОП-транзистор CoolMOS P7

Напряжение: 800 В;

Монтаж: THT;

Корпус TO251, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.4 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1612286

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.751

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

IPAK (TO-251)

Ширина

2.38 mm

Высота

7.59мм

Length

6.73мм

Brand

Infineon

Series

CoolMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

50 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Base Product Number

IPU80R1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.05nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Power Dissipation (Max)

32W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO251-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 700ВµA

FET Feature

Super Junction

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Qg - заряд затвора

10 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Длина

6.73 mm

Другие названия товара №

IPU80R1K4P7 SP001422742

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

CoolMOS P7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-251-3

Упаковка

Tube

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Power Dissipation

32 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.41мм

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Drain Source Voltage

800 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet IPU80R1K4P7AKMA1 , pdf , 1247 КБ
Datasheet IPU80R1K4P7AKMA1 , pdf , 1410 КБ

IPU80R1K4P7AKMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 29 руб.

Техническая документация